LNA2801L参数规格_中文资料_数据手册PDF

LNA2801L概述

砷化镓红外发光二极管的GaAlAs GaAlAs on GaAs Infrared Light Emitting Diode

Infrared IR Emitter 940nm 1.3V 50mA 6mW/sr @ 20mA 30° T-1

得捷:
EMITTER IR 940NM 50MA T-1

LNA2801L中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.3 V

波长 940 nm

视角 30°

正向电流 50 mA

正向电流Max 50 mA

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 T-1

外形尺寸

封装 T-1

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买LNA2801L

型号： LNA2801L

描述：砷化镓红外发光二极管的GaAlAs GaAlAs on GaAs Infrared Light Emitting Diode