砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diode
红外(IR) 发射器 950nm 1.3V 100mA 5mW/sr @ 100mA 180° TO-18 小型
得捷: EMITTER IR 950NM 100MA TO-18
Win Source: GaAs Infrared Light Emitting Diode
额定功率 10.0 mW
正向电压 1.3 V
波长 950 nm
视角 180°
上升时间 1.00 µs
正向电流 100 mA
正向电流Max 100 mA
安装方式 Through Hole
封装 TO-18
工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册