GaAlAs的红外发光二极管 GaAlAs Infrared Light Emitting Diode
Infrared IR Emitter 860nm 1.6V 100mA 10mW/sr @ 50mA 40° T 1 3/4
得捷: EMITTER IR 860NM 100MA T 1 3/4
额定功率 18.0 mW
正向电压 1.6 V
波长 860 nm
视角 40°
正向电流 100 mA
正向电流Max 100 mA
安装方式 Through Hole
封装 T 1 3/4
工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册