L6387E

L6387E图片1
L6387E图片2
L6387E图片3
L6387E图片4
L6387E图片5
L6387E图片6
L6387E图片7
L6387E图片8
L6387E图片9
L6387E图片10
L6387E图片11
L6387E概述

MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics

MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics

### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP


欧时:
### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics


e络盟:
MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, DIP-8


艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V DIP-8 THT **


Win Source:
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-DIP


L6387E中文资料参数规格
技术参数

频率 0.4 MHz

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 0.75 W

上升时间 50 ns

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 750 mW

电源电压 17 V

电源电压Max 17 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

长度 10.92 mm

宽度 6.6 mm

高度 3.32 mm

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -45℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

L6387E引脚图与封装图
L6387E引脚图
L6387E封装图
L6387E电路图
L6387E封装焊盘图
在线购买L6387E
型号: L6387E
描述:MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics ### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
替代型号L6387E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

L6387E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

L6387

意法半导体

完全替代

L6387E和L6387的区别

L6387ED

意法半导体

功能相似

L6387E和L6387ED的区别

L6387ED013TR

意法半导体

功能相似

L6387E和L6387ED013TR的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台