MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
欧时:
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e络盟:
MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, DIP-8
艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V DIP-8 THT **
Win Source:
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-DIP
频率 0.4 MHz
上升/下降时间 50ns, 30ns
输出接口数 2
针脚数 8
耗散功率 0.75 W
上升时间 50 ns
下降时间 30 ns
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 50 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -45 ℃
耗散功率Max 750 mW
电源电压 17 V
电源电压Max 17 V
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 DIP-8
长度 10.92 mm
宽度 6.6 mm
高度 3.32 mm
封装 DIP-8
工作温度 -45℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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L6387E ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
L6387 意法半导体 | 完全替代 | L6387E和L6387的区别 |
L6387ED 意法半导体 | 功能相似 | L6387E和L6387ED的区别 |
L6387ED013TR 意法半导体 | 功能相似 | L6387E和L6387ED013TR的区别 |