L6398DTR

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L6398DTR概述

L6398 系列 双 290 mA 20 V 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-8

半桥 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-SO


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA


艾睿:
Drive a high voltage and high current line with a transistor a certain way with this L6398DTR power driver manufactured by STMicroelectronics. This device has a maximum propagation delay time of 200 ns and a maximum power dissipation of 800 mW. Its maximum power dissipation is 800 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This device has a minimum operating supply voltage of 10 V and a maximum of 20 V. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C.


安富利:
MOSFET DRVR 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N T/R


富昌:
L6398 Series Dual 290 mA 20 V 120 Ohm High and Low Side Driver - SOIC-8


Chip1Stop:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N T/R


Verical:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N T/R


儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-8 SMD **


力源芯城:
高压高边和低边驱动


L6398DTR中文资料参数规格
技术参数

频率 0.8 MHz

上升/下降时间 75ns, 35ns

输出接口数 2

耗散功率 0.8 W

上升时间 120 ns

下降时间 70 ns

下降时间Max 70 ns

上升时间Max 120 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 800 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 21 V

电源电压Min 0.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

L6398DTR引脚图与封装图
L6398DTR电路图
在线购买L6398DTR
型号: L6398DTR
描述:L6398 系列 双 290 mA 20 V 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-8

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