L6571BD

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L6571BD概述

STMICROELECTRONICS  L6571BD  双功率芯片, 半桥+振荡器+DDTIM, 10V-16.6V电源, 270mA输出, SOIC-8

Ballast Control ICs for Fluorescent Lamps, STMicroelectronics

### 电源接口,Texas Instruments


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:170mA 拉:270mA


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO


欧时:
### Ballast Control ICs for Fluorescent Lamps, STMicroelectronics### 电源接口,Texas Instruments


艾睿:
Transistors are a crucial component but for high powered designs this L6571BD power driver by STMicroelectronics is a crucial component. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 10 V and a maximum of 16.6 V.


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.275A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N


Chip1Stop:
Driver 600V 0.275A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N


Verical:
Driver 600V 0.275A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N Tube


L6571BD中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 2

输出电压 618 V

供电电流 25.0 mA

针脚数 8

输出电压Max 618 V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 10V ~ 16.6V

电源电压Max 16.6 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Lighting, 照明

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

L6571BD引脚图与封装图
L6571BD引脚图
L6571BD封装图
L6571BD封装焊盘图
在线购买L6571BD
型号: L6571BD
描述:STMICROELECTRONICS  L6571BD  双功率芯片, 半桥+振荡器+DDTIM, 10V-16.6V电源, 270mA输出, SOIC-8
替代型号L6571BD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

L6571BD

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

L6569

意法半导体

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L6571BD和L6569的区别

L6569AD

意法半导体

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L6571BD和L6569AD的区别

L6569D

意法半导体

完全替代

L6571BD和L6569D的区别

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