STMICROELECTRONICS L6571BD 双功率芯片, 半桥+振荡器+DDTIM, 10V-16.6V电源, 270mA输出, SOIC-8
Ballast Control ICs for Fluorescent Lamps, STMicroelectronics
### 电源接口,Texas Instruments
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:170mA 拉:270mA
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
欧时:
### Ballast Control ICs for Fluorescent Lamps, STMicroelectronics### 电源接口,Texas Instruments
艾睿:
Transistors are a crucial component but for high powered designs this L6571BD power driver by STMicroelectronics is a crucial component. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 10 V and a maximum of 16.6 V.
安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.275A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N
Chip1Stop:
Driver 600V 0.275A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N
Verical:
Driver 600V 0.275A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N Tube
输出接口数 2
输出电压 618 V
供电电流 25.0 mA
针脚数 8
输出电压Max 618 V
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 10V ~ 16.6V
电源电压Max 16.6 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.25 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 Lighting, 照明
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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