L6385ED

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L6385ED概述

STMICROELECTRONICS  L6385ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8

MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO


欧时:
### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics


贸泽:
Gate Drivers HV H-Bridge driver


艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube


富昌:
L6385 Series Single 400 mA 125 Ω High Voltage High and Low Side Driver - SOIC-8


Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube


TME:
Driver; 400mA; 580V; 750mW; Channels:2; 400kHz; SO8; Package: tube


Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  L6385ED  DRIVER, MOSFET, IGBT, 600V, 0.65A, 8SOIC


儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-8 SMD **


力源芯城:
高压高和低边驱动器


Win Source:
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC


L6385ED中文资料参数规格
技术参数

频率 400 kHz

电源电压DC -300 mV min

额定功率 750 mW

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

输出电压 580 V

输出电流 400 mA

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 750 mW

上升时间 50 ns

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 750 mW

电源电压 17 V

电源电压Max 17 V

电源电压Min 0.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, Power Management, 照明, 工业, Industrial, 电机驱动与控制, 建筑自动化, HVAC, Consumer Electronics, Building Automation, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

L6385ED引脚图与封装图
L6385ED引脚图
L6385ED封装图
L6385ED封装焊盘图
在线购买L6385ED
型号: L6385ED
描述:STMICROELECTRONICS  L6385ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
替代型号L6385ED
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

L6385ED

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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L6385ED013TR

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