STMICROELECTRONICS L6385ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
欧时:
### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
贸泽:
Gate Drivers HV H-Bridge driver
艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube
富昌:
L6385 Series Single 400 mA 125 Ω High Voltage High and Low Side Driver - SOIC-8
Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube
TME:
Driver; 400mA; 580V; 750mW; Channels:2; 400kHz; SO8; Package: tube
Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS L6385ED DRIVER, MOSFET, IGBT, 600V, 0.65A, 8SOIC
儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-8 SMD **
力源芯城:
高压高和低边驱动器
Win Source:
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
频率 400 kHz
电源电压DC -300 mV min
额定功率 750 mW
上升/下降时间 50ns, 30ns
输出接口数 2
输出电压 580 V
输出电流 400 mA
通道数 2
针脚数 8
耗散功率 750 mW
上升时间 50 ns
下降时间 30 ns
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 50 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -45 ℃
耗散功率Max 750 mW
电源电压 17 V
电源电压Max 17 V
电源电压Min 0.3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.25 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, Power Management, 照明, 工业, Industrial, 电机驱动与控制, 建筑自动化, HVAC, Consumer Electronics, Building Automation, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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