L6387ED013TR

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L6387ED013TR概述

L6387 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - SOIC-8

Description

The L6387E is an high-voltage device, manufactured with the BCD"OFF-LINE" technology. It has a Driver structure that enables to drive independent referenced N Channel Power MOS or IGBT. The high side Floating Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs are CMOS/TTL compatible for ease of interfacing with controlling devices.

Features

■ High voltage rail up to 600V

■ dV/dt immunity ±50V/nsec in full temperature range

■ Driver current capability:

– 400mA source,

– 650mA sink

■ Switching times 50/30 nsec rise/fall with 1nF load

■ CMOS/TTL Schmitt trigger inputs with hysteresis and pull down

■ Internal bootstrap diode

■ Outputs in phase with inputs

■ Interlocking function

L6387ED013TR中文资料参数规格
技术参数

频率 0.4 MHz

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

输出电流 650 mA

针脚数 8

耗散功率 750 mW

上升时间 50 ns

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 750 mW

电源电压 17 V

电源电压Max 17 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -45℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

L6387ED013TR引脚图与封装图
L6387ED013TR引脚图
L6387ED013TR封装图
L6387ED013TR电路图
L6387ED013TR封装焊盘图
在线购买L6387ED013TR
型号: L6387ED013TR
描述:L6387 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - SOIC-8
替代型号L6387ED013TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

L6387ED013TR

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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L6387ED

意法半导体

完全替代

L6387ED013TR和L6387ED的区别

L6387

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L6387ED013TR和L6387的区别

L6387D

意法半导体

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L6387ED013TR和L6387D的区别

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