STMICROELECTRONICS L6387ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 5.5V-17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
欧时:
STMicroelectronics L6387ED 双 MOSFET 功率驱动器, 0.65A, 最大为 17 V电源, 8引脚 SOIC封装
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:400mA 拉:650mA
贸泽:
Gate Drivers HV H-Bridge driver
艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SO N Tube
安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SO N Tube
Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SO N Tube
TME:
Driver; 400mA; 580V; 750mW; Channels:2; 400kHz; DIP8; Package: tube
Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SO N Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS L6387ED DRIVER, MOSFET, IGBT, 600V, 0.65A, 8SOIC
Win Source:
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC
频率 0.4 MHz
电源电压DC 5.50V min
上升/下降时间 50ns, 30ns
输出接口数 2
针脚数 8
耗散功率 750 mW
上升时间 50 ns
输出电流Max 0.65 A
下降时间 30 ns
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 50 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -45 ℃
耗散功率Max 750 mW
电源电压Max 17 V
电源电压Min 5.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.25 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -45℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, Power Management, 工业, 照明, Industrial, 电机驱动与控制, 建筑自动化, HVAC, Building Automation, Consumer Electronics, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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L6387ED ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
L6387ED013TR 意法半导体 | 完全替代 | L6387ED和L6387ED013TR的区别 |
L6387D 意法半导体 | 类似代替 | L6387ED和L6387D的区别 |
L6387E 意法半导体 | 功能相似 | L6387ED和L6387E的区别 |