L6387ED

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L6387ED概述

STMICROELECTRONICS  L6387ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 5.5V-17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8

MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO


欧时:
STMicroelectronics L6387ED 双 MOSFET 功率驱动器, 0.65A, 最大为 17 V电源, 8引脚 SOIC封装


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:400mA 拉:650mA


贸泽:
Gate Drivers HV H-Bridge driver


艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SO N Tube


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SO N Tube


Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SO N Tube


TME:
Driver; 400mA; 580V; 750mW; Channels:2; 400kHz; DIP8; Package: tube


Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SO N Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  L6387ED  DRIVER, MOSFET, IGBT, 600V, 0.65A, 8SOIC


Win Source:
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC


L6387ED中文资料参数规格
技术参数

频率 0.4 MHz

电源电压DC 5.50V min

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 750 mW

上升时间 50 ns

输出电流Max 0.65 A

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 750 mW

电源电压Max 17 V

电源电压Min 5.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -45℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, Power Management, 工业, 照明, Industrial, 电机驱动与控制, 建筑自动化, HVAC, Building Automation, Consumer Electronics, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

L6387ED引脚图与封装图
L6387ED引脚图
L6387ED封装图
L6387ED电路图
L6387ED封装焊盘图
在线购买L6387ED
型号: L6387ED
描述:STMICROELECTRONICS  L6387ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 5.5V-17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
替代型号L6387ED
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

L6387ED

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

L6387ED013TR

意法半导体

完全替代

L6387ED和L6387ED013TR的区别

L6387D

意法半导体

类似代替

L6387ED和L6387D的区别

L6387E

意法半导体

功能相似

L6387ED和L6387E的区别

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