L6388ED

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L6388ED概述

STMICROELECTRONICS  L6388ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8

MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics

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得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO


欧时:
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立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:400mA 拉:650mA


贸泽:
Gate Drivers Hi-Vltg and Lo Side Driver


e络盟:
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8


艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube


富昌:
L6388 Series Dual 400 mA 125 Ω High Voltage High and Low Side Driver - SOIC-8


Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube


TME:
Driver; 400mA; 580V; 750mW; Channels:2; 400kHz; SO8; Package: tube


Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube


儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-8 SMD **


Win Source:
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC


L6388ED中文资料参数规格
技术参数

频率 0.4 MHz

电源电压DC 9.60V min

上升/下降时间 70ns, 40ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 750 mW

上升时间 100 ns

输出电流Max 0.65 A

下降时间 80 ns

下降时间Max 80 ns

上升时间Max 100 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 750 mW

电源电压 17 V

电源电压Max 17 V

电源电压Min 9.6 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, 照明, Automation & Process Control, 自动化与过程控制, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Consumer Electronics, HVAC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

L6388ED引脚图与封装图
L6388ED引脚图
L6388ED封装图
L6388ED封装焊盘图
在线购买L6388ED
型号: L6388ED
描述:STMICROELECTRONICS  L6388ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8
替代型号L6388ED
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

L6388ED

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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L6388E

意法半导体

完全替代

L6388ED和L6388E的区别

L6388ED013TR

意法半导体

类似代替

L6388ED和L6388ED013TR的区别

L6388D013TR

意法半导体

类似代替

L6388ED和L6388D013TR的区别

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