STMICROELECTRONICS L6388ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8
MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
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得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
欧时:
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立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:400mA 拉:650mA
贸泽:
Gate Drivers Hi-Vltg and Lo Side Driver
e络盟:
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8
艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube
安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube
富昌:
L6388 Series Dual 400 mA 125 Ω High Voltage High and Low Side Driver - SOIC-8
Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube
TME:
Driver; 400mA; 580V; 750mW; Channels:2; 400kHz; SO8; Package: tube
Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N Tube
儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-8 SMD **
Win Source:
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC
频率 0.4 MHz
电源电压DC 9.60V min
上升/下降时间 70ns, 40ns
输出接口数 2
针脚数 8
耗散功率 750 mW
上升时间 100 ns
输出电流Max 0.65 A
下降时间 80 ns
下降时间Max 80 ns
上升时间Max 100 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -45 ℃
耗散功率Max 750 mW
电源电压 17 V
电源电压Max 17 V
电源电压Min 9.6 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.25 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, 照明, Automation & Process Control, 自动化与过程控制, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Consumer Electronics, HVAC
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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L6388ED ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
L6388E 意法半导体 | 完全替代 | L6388ED和L6388E的区别 |
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