L6491D

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L6491D概述

L6491D 管装

半桥 栅极驱动器 IC 非反相 14-SO


欧时:
STMicroelectronics, L6491D


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A


贸泽:
门驱动器 High voltage high and low-side 4 A gate driver


e络盟:
IGBT驱动器, 高压侧与低压侧, 4A, 10V至20V电源, 85ns/85ns延迟, SOIC-14


艾睿:
Driver 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 14-Pin SO Tube


安富利:
MOSFET DRVR 4A 1-OUT Inv/Non-Inv 14-Pin SOIC Tube


Verical:
Driver 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 14-Pin SO Tube


L6491D中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 15 ns

输出接口数 1

针脚数 14

耗散功率 1000 mw

下降时间Max 40 ns

上升时间Max 40 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1000 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SO-14

外形尺寸

封装 SO-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

L6491D引脚图与封装图
L6491D引脚图
L6491D封装图
L6491D封装焊盘图
在线购买L6491D
型号: L6491D
描述:L6491D 管装

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