L6491D 管装
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 14-SO
欧时:
STMicroelectronics, L6491D
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A
贸泽:
门驱动器 High voltage high and low-side 4 A gate driver
e络盟:
IGBT驱动器, 高压侧与低压侧, 4A, 10V至20V电源, 85ns/85ns延迟, SOIC-14
艾睿:
Driver 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 14-Pin SO Tube
安富利:
MOSFET DRVR 4A 1-OUT Inv/Non-Inv 14-Pin SOIC Tube
Verical:
Driver 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 14-Pin SO Tube
上升/下降时间 15 ns
输出接口数 1
针脚数 14
耗散功率 1000 mw
下降时间Max 40 ns
上升时间Max 40 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1000 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 SO-14
封装 SO-14
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99