MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
立创商城:
低边 MOSFET 灌:3A 拉:5A
德州仪器TI:
5-A/3-A dual channel gate driver with active high or low output 4-V UVLO
欧时:
Texas Instruments LM5111-4M 双 MOSFET 功率驱动器, 3A, 3.5 → 14 V电源, 8引脚 SOIC封装
贸泽:
Gate Drivers Dual 5A Compound Driver
艾睿:
Transistors are never going away, implement this LM5111-4M/NOPB power driver by Texas Instruments in order to help turn on and off the transistor. This device has a maximum propagation delay time of 40 ns. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 3.5 V and a maximum of 14 V.
Chip1Stop:
Driver 5A 2-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
电源电压DC 3.50V min
上升/下降时间 14ns, 12ns
输出接口数 2
输出电流 5 A
上升时间 25 ns
下降时间 25 ns
下降时间Max 25 ns
上升时间Max 25 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.5V ~ 14V
电源电压Max 14 V
电源电压Min 3.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.86 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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LM5111-4M/NOPB TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
TC4428AEOA 微芯 | 功能相似 | LM5111-4M/NOPB和TC4428AEOA的区别 |