L6386E参数规格_中文资料_数据手册PDF

L6386E概述

L6386 系列双通道 400 mA 125 Ω 高压高边和低边驱动器 - DIP-14

半桥栅极驱动器 IC 反相 14-DIP

得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

贸泽:
门驱动器 Hi-Vltg and Lo Side Driver

艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin PDIP Tube

安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin PDIP Tube

富昌:
L6386 Series Dual 400 mA 125 Ohm High Voltage High and Low Side Driver - PDIP-14

Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin PDIP Tube

L6386E中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

耗散功率 750 mW

上升时间 50 ns

输出电流Max 0.65 A

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 750 mW

电源电压 17 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 14

封装 PDIP-14

外形尺寸

封装 PDIP-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

L6386E引脚图与封装图

在线购买L6386E

型号： L6386E

描述：L6386 系列双通道 400 mA 125 Ω 高压高边和低边驱动器 - DIP-14

替代型号L6386E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
L6386E ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
L6386 意法半导体	完全替代	L6386E和L6386的区别
L6386ED 意法半导体	功能相似	L6386E和L6386ED的区别
L6386ED013TR 意法半导体	功能相似	L6386E和L6386ED013TR的区别