











TEXAS INSTRUMENTS LM5110-3M/NOPB 复合门驱动器, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8
低端 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-SOIC
得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
立创商城:
低边 MOSFET 灌:3A 拉:5A
德州仪器TI:
5-A/3-A dual channel gate driver with 4-V UVLO, dedicated input ground, and shutdown input
欧时:
Dual 5A Compound Gate Driver,LM5110-3M
贸泽:
门驱动器 Dual Low-Side Driver
艾睿:
Change state in a high power transistor by implementing this LM5110-3M/NOPB power driver by Texas Instruments. This device has a maximum propagation delay time of 40 ns. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 3.5 V and a maximum of 14 V.
Chip1Stop:
MOSFET DRVR 5A 2-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Rail
Verical:
Driver 5A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
Newark:
COMPOUND GATE DRIVER, LOW SIDE, SOIC-8
电源电压DC 14.0V max
上升/下降时间 14ns, 12ns
输出接口数 2
输出电流 5 A
针脚数 8
静态电流 1.00 mA
上升时间 25 ns
下降时间 25 ns
下降时间Max 25 ns
上升时间Max 25 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.5V ~ 14V
电源电压Max 14 V
电源电压Min 3.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.45 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Each
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
LM5110-3M/NOPB TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
LM5110-3MX/NOPB 德州仪器 | 完全替代 | LM5110-3M/NOPB和LM5110-3MX/NOPB的区别 |
LM5110-3M 德州仪器 | 完全替代 | LM5110-3M/NOPB和LM5110-3M的区别 |
LM5110-3MX 德州仪器 | 完全替代 | LM5110-3M/NOPB和LM5110-3MX的区别 |