LK2125R82K-T

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LK2125R82K-T概述

0805 820nH ±10%

屏蔽 多层 器 650 毫欧最大 0805(2012 公制)


立创商城:
820nH ±10% 650mΩ


得捷:
FIXED IND 820NH 150MA 650MOHM SM


艾睿:
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.82uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 0.65Ohm DCR 0805 T/R


安富利:
Ind Chip Shielded Multi-Layer 820nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 0805 T/R


Chip1Stop:
Inductor Chip Shielded Multi-Layer 820nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 650mOhm DCR 0805 T/R


Verical:
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.82uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 0.65Ohm DCR 0805 T/R


Newark:
# TAIYO YUDEN  LK2125R82K-T  Surface Mount High Frequency Inductor, LK Series, 820 nH, 150 mA, 0805 [2012 Metric], Multilayer


Electro Sonic:
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.82uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 0.65Ohm DCR 0805 T/R


Win Source:
820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 2012 Metric


LK2125R82K-T中文资料参数规格
技术参数

额定电流 150 mA

无卤素状态 Halogen Free

电感 820 nH

自谐频率 100 MHz

Q值 25.0

产品系列 LK

电阻 1.00 Ω

共振频率 100 MHz

屏蔽 No

电感公差 ±10 %

测试频率 25 MHz

电阻DC) ≤650 mΩ

额定电流DC 150 mA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.65 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.45 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

LK2125R82K-T引脚图与封装图
LK2125R82K-T引脚图
LK2125R82K-T封装图
LK2125R82K-T封装焊盘图
在线购买LK2125R82K-T
型号: LK2125R82K-T
描述:0805 820nH ±10%

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