MICROCHIP LND150K1-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V
表面贴装型 N 通道 13mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
立创商城:
N沟道 500V 13mA
欧时:
### Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。### 特点高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管,Microchip
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, 表面安装
艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The LND150K1-G power MOSFET from Microchip Technology provides the solution. Its maximum power dissipation is 360 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with dmos technology. This N channel MOSFET transistor operates in depletion mode.
Allied Electronics:
MOSFET, DEPLETION-MODE, 500V, 1K Ohm3 SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23
富昌:
MOSFET, DEPLETION-MODE, 500V, 1K Ohm
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.013A; 360mW; SOT23-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# MICROCHIP LND150K1-G MOSFET Transistor, N Channel, 13 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V
儒卓力:
**N-CH DepletionMOSFET 500V SOT23 **
额定功率 0.36 W
针脚数 3
漏源极电阻 850 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 mW
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 0.013A
上升时间 450 ns
输入电容Ciss 7.5pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 1300 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99