LQW2BASR12G00L

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LQW2BASR12G00L概述

120nH ±2%

120nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 510mOhm Max 0805 2015 Metric


得捷:
FIXED IND 120NH 400MA 510MOHM SM


立创商城:
120nH ±2% 510mΩ


艾睿:
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 0.12uH 2% 150MHz 50Q-Factor Non Magnetic 0.4A 0.51Ohm DCR 0805 T/R


LQW2BASR12G00L中文资料参数规格
技术参数

额定电流 400 mA

容差 ±2 %

电感 0.12 µH

自谐频率 1.1 GHz

产品系列 LQW

电感公差 ±2 %

测试频率 150 MHz

电阻DC) ≤510 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

电阻DC Max 0.51 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.52 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买LQW2BASR12G00L
型号: LQW2BASR12G00L
制造商: muRata 村田
描述:120nH ±2%

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