L6386D参数规格_中文资料_数据手册PDF

L6386D概述

高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 14-SO

得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

贸泽:
门驱动器 Hi-Volt Hi-Low Side

艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 14-Pin SOIC Tube

Win Source:
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-SOIC

L6386D中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 17.0V max

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

耗散功率 750 mW

上升时间 50 ns

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SOIC-14

外形尺寸

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买L6386D

型号： L6386D

描述：高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

替代型号L6386D

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
L6386D ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
L6386D013TR 意法半导体	完全替代	L6386D和L6386D013TR的区别
L6386ED 意法半导体	类似代替	L6386D和L6386ED的区别
L6386ED013TR 意法半导体	类似代替	L6386D和L6386ED013TR的区别