LM385BD-1.2参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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LM385BD-1.2概述

微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference Diodes

分流器电压基准 IC ±1% 8-SOIC

得捷:
IC VREF SHUNT 1% 8SOIC

贸泽:
参考电压 1.2V 10uA-20mA

LM385BD-1.2中文资料参数规格

技术参数

额定电流 10.0 A

容差 ±1 %

输出电压 1.235 V

输出电流 20 mA

通道数 1

输出电压Min 1.235 V

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

温度系数 ±80 ppm/℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

LM385BD-1.2引脚图与封装图

LM385BD-1.2引脚图

LM385BD-1.2封装图

LM385BD-1.2封装焊盘图

在线购买LM385BD-1.2

型号： LM385BD-1.2

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference Diodes

替代型号LM385BD-1.2

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
LM385BD-1.2 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
LM385BD-1.2G 安森美	完全替代	LM385BD-1.2和LM385BD-1.2G的区别
LM385BD-1-2 德州仪器	完全替代	LM385BD-1.2和LM385BD-1-2的区别
LM385D-1.2R2G 安森美	类似代替	LM385BD-1.2和LM385D-1.2R2G的区别