LF412ACN

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LF412ACN中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.67 W

共模抑制比 80 dB

增益频宽积 4 MHz

输入补偿电压 1 mV

输入偏置电流 0.2 nA

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP

外形尺寸

封装 PDIP

其他

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买LF412ACN
型号: LF412ACN
制造商: National Semiconductor 美国国家半导体
描述:低失调,低漂移双JFET输入运算放大器 Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier
替代型号LF412ACN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LF412ACN

National Semiconductor 美国国家半导体

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