耗散功率 0.67 W
共模抑制比 80 dB
增益频宽积 5 MHz
输入补偿电压 10 mV
输入偏置电流 0.2 nA
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
耗散功率Max 670 mW
共模抑制比Min 80 dB
引脚数 8
封装 PDIP
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册
LF356N
National Semiconductor 美国国家半导体
当前型号
LF356N/NOPB
美国国家半导体
完全替代
TL081CP
德州仪器
功能相似
TL081ACP