LF356N

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LF356N中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.67 W

共模抑制比 80 dB

增益频宽积 5 MHz

输入补偿电压 10 mV

输入偏置电流 0.2 nA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

耗散功率Max 670 mW

共模抑制比Min 80 dB

封装参数

引脚数 8

封装 PDIP

外形尺寸

封装 PDIP

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买LF356N
型号: LF356N
制造商: National Semiconductor 美国国家半导体
描述:系列单片JFET输入运算放大器 Series Monolithic JFET Input Operational Amplifiers
替代型号LF356N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

LF356N

National Semiconductor 美国国家半导体

当前型号

当前型号

LF356N/NOPB

美国国家半导体

完全替代

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