L6385ED013TR

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L6385ED013TR概述

L6385 系列 单 400 mA 125 Ω 高压 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-8

半桥 栅极驱动器 IC 反相 8-SO


立创商城:
L6385ED013TR


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO


艾睿:
Ideal for high voltage transistors this L6385ED013TR power driver manufactured by STMicroelectronics will help switch junction. This device has a maximum propagation delay time of 110typ ns and a maximum power dissipation of 750 mW. Its maximum power dissipation is 750 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This device has a maximum of 17 V. This gate driver has an operating temperature range of -45 °C to 125 °C.


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N T/R


富昌:
L6385 Series Single 400 mA 125 Ω High Voltage High and Low Side Driver - SOIC-8


Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N T/R


TME:
Driver; 400mA; 580V; 750mW; Channels:2; 400kHz; SO8; Usup:17V


Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO N T/R


儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-8 SMD **


DeviceMart:
Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv, SOIC-8


Win Source:
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC


L6385ED013TR中文资料参数规格
技术参数

频率 400 kHz

额定功率 750 mW

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

输出电压 580 V

输出电流 400 mA

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 0.75 W

上升时间 50 ns

输出电流Max 0.65 A

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 750 mW

电源电压 17 V

电源电压Max 17 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

L6385ED013TR引脚图与封装图
L6385ED013TR引脚图
L6385ED013TR封装图
L6385ED013TR封装焊盘图
在线购买L6385ED013TR
型号: L6385ED013TR
描述:L6385 系列 单 400 mA 125 Ω 高压 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-8
替代型号L6385ED013TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

L6385ED013TR

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

L6385ED

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