L6386ED013TR

L6386ED013TR图片1
L6386ED013TR图片2
L6386ED013TR图片3
L6386ED013TR图片4
L6386ED013TR图片5
L6386ED013TR图片6
L6386ED013TR图片7
L6386ED013TR图片8
L6386ED013TR图片9
L6386ED013TR图片10
L6386ED013TR图片11
L6386ED013TR图片12
L6386ED013TR图片13
L6386ED013TR概述

MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics

MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics

### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:400mA 拉:650mA


欧时:
STMicroelectronics L6386ED013TR 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 0.65A, 最大为 17 V电源, 14引脚 SOIC封装


艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SOIC T/R


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SO T/R


Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SOIC T/R


儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-14 SMD **


Win Source:
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 14-SOIC


L6386ED013TR中文资料参数规格
技术参数

频率 0.4 MHz

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

耗散功率 0.75 W

上升时间 50 ns

输出电流Max 0.65 A

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 750 mW

电源电压 17 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SOIC-14

外形尺寸

长度 8.75 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

L6386ED013TR引脚图与封装图
L6386ED013TR引脚图
L6386ED013TR封装图
L6386ED013TR电路图
L6386ED013TR封装焊盘图
在线购买L6386ED013TR
型号: L6386ED013TR
描述:MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics ### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
替代型号L6386ED013TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

L6386ED013TR

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

L6386ED

意法半导体

类似代替

L6386ED013TR和L6386ED的区别

L6386D

意法半导体

类似代替

L6386ED013TR和L6386D的区别

L6386D013TR

意法半导体

类似代替

L6386ED013TR和L6386D013TR的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台