MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
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得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:400mA 拉:650mA
欧时:
STMicroelectronics L6386ED013TR 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 0.65A, 最大为 17 V电源, 14引脚 SOIC封装
艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SOIC T/R
安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SOIC T/R
Chip1Stop:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SO T/R
Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SOIC T/R
儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-14 SMD **
Win Source:
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 14-SOIC
频率 0.4 MHz
上升/下降时间 50ns, 30ns
输出接口数 2
耗散功率 0.75 W
上升时间 50 ns
输出电流Max 0.65 A
下降时间 30 ns
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 50 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 750 mW
电源电压 17 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 SOIC-14
长度 8.75 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-14
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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L6386ED013TR ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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