L2N7002DW1T1G

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L2N7002DW1T1G概述

MOS场效应管 L2N7002DW1T1G SC-88SOT-363 N沟道 60V 115mA 13.5Ω@10V

• We declare that the material of product are Halogen Free and compliance with RoHS requirements.

• ESD Protected:1000V

• S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.


立创商城:
N沟道 60V 115mA


Win Source:
Small Signal MOSFEO 115 mAmps, 60 Volts


L2N7002DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 7.5 Ω

极性 Dual-Nwith ESD

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.115A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-88

外形尺寸

封装 SC-88

其他

产品生命周期 Unknown

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买L2N7002DW1T1G
型号: L2N7002DW1T1G
描述:MOS场效应管 L2N7002DW1T1G SC-88SOT-363 N沟道 60V 115mA 13.5Ω@10V

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