L8550QLT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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L8550QLT1G概述

电源管理IC开发工具

电源管理IC开发工具

立创商城:
PNP 25V 800mA

Win Source:
General Purpose Transistors PNP Silicon

L8550QLT1G中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 800mA

最小电流放大倍数hFE 150

最大电流放大倍数hFE 300

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买L8550QLT1G

型号： L8550QLT1G

制造商： Leshan Radio 乐山无线电

描述：电源管理IC开发工具