LMBT3904DW1T1G

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LMBT3904DW1T1G概述

电源管理IC开发工具

电源管理IC开发工具


立创商城:
2个NPN 40V 200mA


Win Source:
Dual General Purpose Transistor


LMBT3904DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

极性 Dual NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 200mA

最小电流放大倍数hFE 100

最大电流放大倍数hFE 300

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-88

外形尺寸

封装 SC-88

其他

产品生命周期 Unknown

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: LMBT3904DW1T1G
描述:电源管理IC开发工具

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