L6389EDTR

L6389EDTR图片1
L6389EDTR概述

半桥 IGBT MOSFET 灌:400mA 拉:650mA

半桥 栅极驱动器 IC 反相


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:400mA 拉:650mA


艾睿:
Driver 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N T/R


Verical:
Driver 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N T/R


L6389EDTR中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

耗散功率 750 mW

下降时间Max 80 ns

上升时间Max 100 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

L6389EDTR引脚图与封装图
L6389EDTR电路图
在线购买L6389EDTR
型号: L6389EDTR
描述:半桥 IGBT MOSFET 灌:400mA 拉:650mA

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