L6399DTR概述
MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 10 V至20 V电源, 430 mA输出, 125 ns延迟, SOIC-8
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SO
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA
艾睿:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N T/R
Verical:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N T/R
Win Source:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO / Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
L6399DTR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 75ns, 35ns
输出接口数 2
针脚数 8
耗散功率 800 mW
下降时间Max 70 ns
上升时间Max 120 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 800 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
L6399DTR引脚图与封装图 
在线购买L6399DTR
型号： L6399DTR
描述：MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 10 V至20 V电源, 430 mA输出, 125 ns延迟, SOIC-8