LSIC1MO120E0080参数规格_中文资料_数据手册PDF

LSIC1MO120E0080概述

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2kV 39A 3Pin3+Tab TO-247 Tube

N-Channel 1200V 39A Tc 179W Tc Through Hole TO-247-3

得捷:
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; 179W; TO247-3

LSIC1MO120E0080中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 179000 mW

漏源极电压Vds 1200 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1825pF @800VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 179W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

LSIC1MO120E0080引脚图与封装图

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型号： LSIC1MO120E0080

描述：Trans MOSFET N-CH SiC 1.2kV 39A 3Pin3+Tab TO-247 Tube