MT29F1G08ABADAWP-IT:D参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT29F1G08ABADAWP-IT:D概述

1-Gbit128M x 8bit，并行接口，工作电压：2.7V to 3.6V

FLASH - NAND Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 48-TSOP I

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IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I

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SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1G-bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I Tray

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SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit 48-Pin TSOP-I Tray

Verical:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1G-bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I Tray

Win Source:
IC FLASH 1GBIT 20NS 48TSOP

MT29F1G08ABADAWP-IT:D中文资料参数规格

技术参数

工作电压 3.30 V

供电电流 35 mA

位数 8

内存容量 125000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TSOP-48

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSOP-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买MT29F1G08ABADAWP-IT:D

型号： MT29F1G08ABADAWP-IT:D

描述：1-Gbit128M x 8bit，并行接口，工作电压：2.7V to 3.6V

替代型号MT29F1G08ABADAWP-IT:D

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MT29F1G08ABADAWP-IT:D Micron 镁光	当前型号	当前型号
MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR 镁光	完全替代	MT29F1G08ABADAWP-IT:D和MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR的区别
MT29F1G08ABADAWP-ITX:D 镁光	完全替代	MT29F1G08ABADAWP-IT:D和MT29F1G08ABADAWP-ITX:D的区别
MT29F1G08ABADAH4-IT:D 镁光	类似代替	MT29F1G08ABADAWP-IT:D和MT29F1G08ABADAH4-IT:D的区别