MT29F1G08ABBDAHC:D TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT29F1G08ABBDAHC:D TR概述

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 63Pin VFBGA T/R

FLASH - NAND Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 63-VFBGA 10.5x13

得捷:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

Chip1Stop:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 63-Pin VFBGA T/R

Verical:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 63-Pin VFBGA T/R

MT29F1G08ABBDAHC:D TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买MT29F1G08ABBDAHC:D TR

型号： MT29F1G08ABBDAHC:D TR

描述：SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 63Pin VFBGA T/R

替代型号MT29F1G08ABBDAHC:D TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MT29F1G08ABBDAHC:D TR Micron 镁光	当前型号	当前型号
MT29F1G08ABBDAHC:D 镁光	完全替代	MT29F1G08ABBDAHC:D TR和MT29F1G08ABBDAHC:D的区别
S34MS01G100BHI000 赛普拉斯	功能相似	MT29F1G08ABBDAHC:D TR和S34MS01G100BHI000的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MT29F1G08ABBDAHC:D TR

Micron 镁光

当前型号

MT29F1G08ABBDAHC:D

镁光

完全替代

S34MS01G100BHI000

赛普拉斯

功能相似