MR0DL08BMA45R

MR0DL08BMA45R图片1
MR0DL08BMA45R图片2
MR0DL08BMA45R概述

NVRAM 1Mb, 2.7V 128K x 8 45ns Parallel 磁性随机存取存储器 MRAM

MRAM(磁阻式 RAM) 存储器 IC 1Mb(128K x 8) 并联 45 ns 48-FBGA(8x8)


得捷:
IC RAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA


贸泽:
NVRAM 1Mb, 2.7V 128K x 8 45ns Parallel 磁性随机存取存储器 MRAM


艾睿:
A DUAL POWER SUPPLY 1,048,576-BIT MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY


MR0DL08BMA45R中文资料参数规格
技术参数

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 48

封装 LFBGA-48

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 LFBGA-48

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MR0DL08BMA45R
型号: MR0DL08BMA45R
制造商: Everspin Technologies
描述:NVRAM 1Mb, 2.7V 128K x 8 45ns Parallel 磁性随机存取存储器 MRAM

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台