ZEROPOWER® 静态 RAM，STMicroelectronicsZEROPOWER® 非易失 RAM 产品集成了低功率 SRAM 与电源故障控制电路和长寿命锂电池。### SRAM（静态随机存取存储器）
ZEROPOWER® 静态 RAM，STMicroelectronics
ZEROPOWER® 非易失 RAM 产品集成了低功率 SRAM 与电源故障控制电路和长寿命锂电池。
### SRAM（静态随机存取存储器）
得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28PCDIP
欧时:
### ZEROPOWER® 静态 RAM，STMicroelectronicsZEROPOWER® 非易失 RAM 产品集成了低功率 SRAM 与电源故障控制电路和长寿命锂电池。### SRAM（静态随机存取存储器）
艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin PCDIP Tube
Jameco:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5 Volt 28-Pin PCDIP
安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin PCDIP Tube
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin PCDIP Tube
TME:
Memory; NV SRAM; 32kx8bit; 4.75÷5.5V; 70ns; DIP28
Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin PCDIP Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS M48Z35-70PC1 IC, SRAM ZEROPOWER 256K
力源芯城:
5V,256K位,ZEROPOWER SRAM,内嵌电池
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
工作电压 4.75V ~ 5.5V
供电电流 50 mA
针脚数 28
时钟频率 70.0 GHz
存取时间 70 ns
内存容量 32000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
长度 39.88 mm
宽度 18.34 mm
高度 9.65 mm
封装 DIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Communications & Networking, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
M48Z35-70PC1 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1230AB-70+ 美信 | 功能相似 | M48Z35-70PC1和DS1230AB-70+的区别 |
BQ4011MA-100 德州仪器 | 功能相似 | M48Z35-70PC1和BQ4011MA-100的区别 |