M93C76-WMN6TP

M93C76-WMN6TP图片1
M93C76-WMN6TP图片2
M93C76-WMN6TP图片3
M93C76-WMN6TP图片4
M93C76-WMN6TP图片5
M93C76-WMN6TP图片6
M93C76-WMN6TP图片7
M93C76-WMN6TP图片8
M93C76-WMN6TP图片9
M93C76-WMN6TP概述

M93C76 系列 8 Kb 1K x 8 / 512 x 16 5.5 V MICROWIRE® 串行访问 EEPROM

Description

The M93C86, M93C76, M93C66, M93C56 and M93C46 are electrically erasable programmable memory EEPROM devices. They are accessed through a Serial Data input D and Serial Data output Q using the MICROWIRE bus protocol

Features

● Industry standard MICROWIRE bus

● Single supply voltage:

   – 4.5 V to 5.5 V for M93Cx6

   – 2.5 V to 5.5 V for M93Cx6-W

   – 1.8 V to 5.5 V for M93Cx6-R

● Dual organization: by word x16 or byte x8

● Programming instructions that work on: byte, word or entire memory

● Self-timed programming cycle with auto erase: 5 ms

● READY/BUSY signal during programming

● 2 MHz clock rate

● Sequential read operation

● Enhanced ESD/latch-up behavior

● More than 1 million write cycles

● More than 40 year data retention

● Packages

   – ECOPACK® RoHS compliant

M93C76-WMN6TP中文资料参数规格
技术参数

频率 2 MHz

供电电流 2 mA

针脚数 8

时钟频率 2 MHz

存取时间 200 ns

存取时间Max 200 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买M93C76-WMN6TP
型号: M93C76-WMN6TP
描述:M93C76 系列 8 Kb 1K x 8 / 512 x 16 5.5 V MICROWIRE® 串行访问 EEPROM
替代型号M93C76-WMN6TP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

M93C76-WMN6TP

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

M93C76-WMN6P

意法半导体

完全替代

M93C76-WMN6TP和M93C76-WMN6P的区别

M93C76-RDW6TP

意法半导体

功能相似

M93C76-WMN6TP和M93C76-RDW6TP的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台