MMBZ12VAL,215

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MMBZ12VAL,215中文资料参数规格
技术参数

电容 140 pF

电路数 2

耗散功率 0.36 W

钳位电压 17 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 40 W

最小反向击穿电压 11.4 V

击穿电压 11.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMBZ12VAL,215
型号: MMBZ12VAL,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
替代型号MMBZ12VAL,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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