MMBZ33VAL,215

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MMBZ33VAL,215中文资料参数规格
技术参数

电容 55 pF

电路数 2

耗散功率 0.36 W

钳位电压 46 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 40 W

最小反向击穿电压 31.35 V

击穿电压 31.35 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMBZ33VAL,215
型号: MMBZ33VAL,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:MMBZ33 系列 33 V 双 ESD保护 二极管 - SOT23
替代型号MMBZ33VAL,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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