On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
瞬态电压双共阳极齐纳,On Semiconductor
共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器
特别适用于自动插入
低泄漏
得捷:
TVS DIODE 6.5VWM SOT23-3
立创商城:
MA3075WALT1G
欧时:
### 瞬态电压双共阳极齐纳,On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
艾睿:
This tvs MA3075WALT1G ESD protection device from ON Semiconductor is ideal for protecting your electronic components and circuits from electrostatic discharge. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of 30@Air Gap/30@Contact Disc/16@HBM kV. This ESD diode has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. Its capacitance value is 80Typ pF. It is made in a dual common anode configuration.
安富利:
ESD Suppressor TVS 30KV 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
ESD Suppressor Diode TVS Uni-Dir 6.5V 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MA3075WALT1G Zener Array Diode, 7.5 V, Dual Common Anode, 225 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-23
力源芯城:
二线单向
Win Source:
TVS DIODE 6.5VWM SOT23
额定电压DC 7.50 V
电容 80 pF
额定功率 225 mW
电路数 2
针脚数 3
正向电压 900 mV
耗散功率 225 mW
测试电流 5 mA
最大反向击穿电压 7.9 V
稳压值 7.5 V
脉冲峰值功率 15 W
最小反向击穿电压 7.2 V
击穿电压 7.2 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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