MA3075WALT1G

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MA3075WALT1G概述

On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

瞬态电压双共阳极齐纳,On Semiconductor

共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器

特别适用于自动插入

低泄漏


得捷:
TVS DIODE 6.5VWM SOT23-3


立创商城:
MA3075WALT1G


欧时:
### 瞬态电压双共阳极齐纳,On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


艾睿:
This tvs MA3075WALT1G ESD protection device from ON Semiconductor is ideal for protecting your electronic components and circuits from electrostatic discharge. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of 30@Air Gap/30@Contact Disc/16@HBM kV. This ESD diode has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. Its capacitance value is 80Typ pF. It is made in a dual common anode configuration.


安富利:
ESD Suppressor TVS 30KV 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
ESD Suppressor Diode TVS Uni-Dir 6.5V 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MA3075WALT1G  Zener Array Diode, 7.5 V, Dual Common Anode, 225 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-23


力源芯城:
二线单向


Win Source:
TVS DIODE 6.5VWM SOT23


MA3075WALT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 7.50 V

电容 80 pF

额定功率 225 mW

电路数 2

针脚数 3

正向电压 900 mV

耗散功率 225 mW

测试电流 5 mA

最大反向击穿电压 7.9 V

稳压值 7.5 V

脉冲峰值功率 15 W

最小反向击穿电压 7.2 V

击穿电压 7.2 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MA3075WALT1G引脚图与封装图
MA3075WALT1G引脚图
MA3075WALT1G封装焊盘图
在线购买MA3075WALT1G
型号: MA3075WALT1G
描述:On Semiconductor 共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
替代型号MA3075WALT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

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安森美

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