MMBZ27VALT1G

MMBZ27VALT1G图片1
MMBZ27VALT1G图片2
MMBZ27VALT1G图片3
MMBZ27VALT1G图片4
MMBZ27VALT1G图片5
MMBZ27VALT1G图片6
MMBZ27VALT1G图片7
MMBZ27VALT1G图片8
MMBZ27VALT1G图片9
MMBZ27VALT1G图片10
MMBZ27VALT1G图片11
MMBZ27VALT1G图片12
MMBZ27VALT1G图片13
MMBZ27VALT1G图片14
MMBZ27VALT1G图片15
MMBZ27VALT1G图片16
MMBZ27VALT1G图片17
MMBZ27VALT1G图片18
MMBZ27VALT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBZ27VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 22 V, 40 V, SOT-23, 3 引脚

40W 双齐纳瞬态电压抑制器,

SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。

旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。


得捷:
TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23-3


立创商城:
单向 Vrwm:22V 40W


欧时:
### 40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 27V 225mW Dual Common Anode


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ27VALT1G.  二极管阵列, TVS, 40W, 27V, SOT-23


艾睿:
Never worry about unexpected ESD again from implementing this tvs MMBZ27VALT1G ESD protection device manufactured from ON Semiconductor. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of 16@HBM/0.4@MM kV. This device&s;s maximum clamping voltage is 40 V. This ESD diode has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It is made in a dual common anode|single configuration.


Allied Electronics:
MMBZ27VALT1G, Dual Uni-Directional TVS Diode, 40W, 3-Pin SOT-23


安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBZ 系列 40 W 27 V 双向 表面贴装 齐纳 TVS 二极管 - SOT-23-3


Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 22V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Diode: transil; 40W; 27V; 1A; SOT23; Package: reel, tape


Verical:
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 22V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBZ27VALT1G  TVS Diode, MMBZ2 Series, Unidirectional, 22 V, 40 V, SOT-23, 3 Pins


Win Source:
TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23


MMBZ27VALT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 27.0 V

额定功率 40.0 W

针脚数 3

耗散功率 40 W

钳位电压 40 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 28.35 V

脉冲峰值功率 40 W

最小反向击穿电压 25.65 V

击穿电压 25.65 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级, Communications & Networking, 工业, Industrial, 医用, Medical, 通用, 通信与网络, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBZ27VALT1G引脚图与封装图
MMBZ27VALT1G封装焊盘图
在线购买MMBZ27VALT1G
型号: MMBZ27VALT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBZ27VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 22 V, 40 V, SOT-23, 3 引脚
替代型号MMBZ27VALT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBZ27VALT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MMBZ27VALT3G

安森美

完全替代

MMBZ27VALT1G和MMBZ27VALT3G的区别

MMBZ27VCLT1

安森美

完全替代

MMBZ27VALT1G和MMBZ27VCLT1的区别

MMBZ27VALT1

安森美

完全替代

MMBZ27VALT1G和MMBZ27VALT1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台