MMBZ15VDLT1G

MMBZ15VDLT1G图片1
MMBZ15VDLT1G图片2
MMBZ15VDLT1G图片3
MMBZ15VDLT1G图片4
MMBZ15VDLT1G图片5
MMBZ15VDLT1G图片6
MMBZ15VDLT1G图片7
MMBZ15VDLT1G图片8
MMBZ15VDLT1G图片9
MMBZ15VDLT1G图片10
MMBZ15VDLT1G图片11
MMBZ15VDLT1G图片12
MMBZ15VDLT1G图片13
MMBZ15VDLT1G图片14
MMBZ15VDLT1G图片15
MMBZ15VDLT1G图片16
MMBZ15VDLT1G图片17
MMBZ15VDLT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBZ15VDLT1G...  单管二极管 齐纳, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 引脚, 150 °C

40W 双齐纳瞬态电压抑制器,

SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。

旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。

### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


得捷:
TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC SOT23-3


欧时:
40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


立创商城:
单向 Vrwm:12.8V 40W


e络盟:
TVS二极管, MMBZ1系列, 单向, 12.8 V, 21.2 V, SOT-23, 3 引脚


艾睿:
Get protected from high voltage shocks with this tvs MMBZ15VDLT1G ESD protection device developed by ON Semiconductor. This device&s;s maximum clamping voltage is 21.2 V. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of 16@HBM kV. This ESD diode has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It is made in a dual common cathode|single configuration.


Allied Electronics:
MMBZ15VDLT1G, Dual Bi-Directional, Uni-Directional TVS Diode, 40W, 3-Pin SOT-123


安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS Uni-Dir/Bi-Dir 12.8V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Diode: transil; 40W; 15V; 1.9A; SOT23; Package: reel, tape


Verical:
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 12.8V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBZ15VDLT1G  Zener Single Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pins, 150 °C


Win Source:
TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC SOT23


MMBZ15VDLT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 15.0 V

工作电压 12.8 V

额定电流 1.00 A

额定功率 40.0 W

击穿电压 14.3 V

针脚数 3

耗散功率 225 mW

钳位电压 21.2 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 15.8 V

稳压值 15 V

脉冲峰值功率 40 W

最小反向击穿电压 14.3 V

击穿电压 14.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 医用, Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, 汽车级, Medical, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBZ15VDLT1G引脚图与封装图
MMBZ15VDLT1G引脚图
MMBZ15VDLT1G封装焊盘图
在线购买MMBZ15VDLT1G
型号: MMBZ15VDLT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBZ15VDLT1G...  单管二极管 齐纳, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 引脚, 150 °C
替代型号MMBZ15VDLT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBZ15VDLT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

SZMMBZ15VDLT1G

安森美

完全替代

MMBZ15VDLT1G和SZMMBZ15VDLT1G的区别

MMBZ15VALT1G

安森美

类似代替

MMBZ15VDLT1G和MMBZ15VALT1G的区别

MMBZ9V1ALT1G

安森美

类似代替

MMBZ15VDLT1G和MMBZ9V1ALT1G的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司