MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR

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MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR概述

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M x 8Bit 63Pin VFBGA T/R

FLASH - NAND Memory IC 4Gb 512M x 8 Parallel 63-VFBGA


得捷:
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA


艾睿:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4G-bit 512M x 8 63-Pin VFBGA T/R


安富利:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M x 8Bit 63-Pin VFBGA T/R


Verical:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4G-bit 512M x 8 63-Pin VFBGA T/R


MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 20 mA

位数 8

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 63

封装 VFBGA-63

外形尺寸

高度 0.65 mm

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR
型号: MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR
制造商: Micron 镁光
描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M x 8Bit 63Pin VFBGA T/R
替代型号MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT29F4G08ABBDAHC:D TR

镁光

完全替代

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR和MT29F4G08ABBDAHC:D TR的区别

MT29F4G08ABCHC-ET:C TR

镁光

完全替代

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR和MT29F4G08ABCHC-ET:C TR的区别

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