MT46V128M4TG-5B:D TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT46V128M4TG-5B:D TR概述

IC SDRAM 512Mbit 200MHz 66TSOP

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb（128M x 4）并联 200 MHz 700 ps 66-TSOP

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP

Chip1Stop:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 128Mx4 2.6V 66-Pin TSOP T/R

MT46V128M4TG-5B:D TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 2.60 V, 2.70 V max

时钟频率 200MHz max

存取时间 700 ps

内存容量 512000000 B

电源电压 2.5V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-66

外形尺寸

封装 TSSOP-66

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

MT46V128M4TG-5B:D TR引脚图与封装图

在线购买MT46V128M4TG-5B:D TR

型号： MT46V128M4TG-5B:D TR

描述：IC SDRAM 512Mbit 200MHz 66TSOP