IC SDRAM 512Mbit 200MHz 66TSOP
SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 66-TSOP
得捷: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
电源电压DC 2.60 V, 2.70 V max
时钟频率 200MHz max
存取时间 5.00 ns
内存容量 512000000 B
电源电压 2.5V ~ 2.7V
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP-66
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册