M93S56-WMN6T参数规格_中文资料_数据手册PDF

M93S56-WMN6T概述

4k位， 2Kbit和1K位， 16位宽的MICROWIRE串行EEPROM的访问与块保护 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection

EEPROM 存储器 IC 2Kb（128 x 16） SPI 2 MHz 8-SO

得捷:
IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8SOIC

艾睿:
EEPROM Serial-Microwire 2K-bit 128 x 16 3.3V/5V 8-Pin SO N T/R

Chip1Stop:
EEPROM Serial-Microwire 2K-bit 128 x 16 3.3V/5V 8-Pin SO N T/R

Win Source:
IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SO

M93S56-WMN6T中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 2.00 MHz, 2.00 MHz max

存取时间 2.00 µs

内存容量 2000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买M93S56-WMN6T

型号： M93S56-WMN6T

描述：4k位， 2Kbit和1K位， 16位宽的MICROWIRE串行EEPROM的访问与块保护 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection

替代型号M93S56-WMN6T

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
M93S56-WMN6T ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
M93S56-WMN6 意法半导体	完全替代	M93S56-WMN6T和M93S56-WMN6的区别
M93S56-WMN6TP 意法半导体	类似代替	M93S56-WMN6T和M93S56-WMN6TP的区别
M93S56-WMN6P 意法半导体	类似代替	M93S56-WMN6T和M93S56-WMN6P的区别