MLG1005S3N3BTD25

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MLG1005S3N3BTD25概述

3.3nH ±0.1NH 编带

无屏蔽 多层 器 200 毫欧最大 0402(1005 公制)


得捷:
FIXED IND 3.3NH 800MA 200MOHM SM


立创商城:
3.3nH ±0.1nH 90mΩ


贸泽:
Fixed Inductors 3.3nH 200mohms 800mA +/-0.1nH HF AEC-Q200


艾睿:
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0033uH 0.1nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.2Ohm DCR 0402 Automotive T/R


Verical:
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0033uH 0.1nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.2Ohm DCR 0402 Automotive T/R


MLG1005S3N3BTD25中文资料参数规格
技术参数

额定电流 800 mA

电感 3.3 nH

自谐频率 6.1 GHz

Q值 8

产品系列 MLG

测试频率 100 MHz

电阻DC) 200 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

电阻DC Max 200 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive Grade

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MLG1005S3N3BTD25引脚图与封装图
MLG1005S3N3BTD25引脚图
MLG1005S3N3BTD25封装图
MLG1005S3N3BTD25封装焊盘图
在线购买MLG1005S3N3BTD25
型号: MLG1005S3N3BTD25
制造商: TDK 东电化
描述:3.3nH ±0.1NH 编带

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