MLF2012A1R2M参数规格_中文资料_数据手册PDF

MLF2012A1R2M概述

Fixed Ind 1.2uH 80mA 350Mohm

1.2µH Shielded Multilayer Inductor 80mA 350mOhm Max 0805 2012 Metric

立创商城:
1.2uH ±20% 150mΩ

得捷:
FIXED IND 1.2UH 80MA 350 MOHM

艾睿:
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 1.2uH 20% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 80mA 350mOhm DCR 0805 T/R

MLF2012A1R2M中文资料参数规格

技术参数

额定电流 80 mA

容差 ±20 %

电感 1.2 µH

自谐频率 110 MHz

测试频率 10 MHz

电阻DC） ≤350 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

电阻DC Max 0.35 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.85 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MLF2012A1R2M引脚图与封装图

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型号： MLF2012A1R2M

描述：Fixed Ind 1.2uH 80mA 350Mohm