STMICROELECTRONICS MJD112T4 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 100V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 25MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 500~2000 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 2V~3V 耗散功率PcPower Dissipation| Description & Applications| Complementary power Darlington transistors Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode 描述与应用| Complementary power Darlington transistors HFE线性度好 ■高FT 频率 ■单片达林顿配置 综合反平行集电极 - 发射极二极管
额定电压DC 100 V
额定电流 2.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V
额定功率Max 20 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 25MHz Min
耗散功率Max 20000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD112T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD112G 安森美 | 功能相似 | MJD112T4和MJD112G的区别 |
MJD112TF 飞兆/仙童 | 功能相似 | MJD112T4和MJD112TF的区别 |