













ON SEMICONDUCTOR MJD117G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFE
PNP 复合,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
立创商城:
2.0 A,100 V,PNP 达林顿双极功率晶体管
得捷:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
欧时:
ON Semiconductor MJD117G PNP 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3引脚 DPAK TO-252封装
e络盟:
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFE
艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Allied Electronics:
Transistor; Darlington; Si; PNP; Power; Switch; Vo 100VDC; VI 5VDC; Io 2ADC; PD 20W
安富利:
Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin2+Tab DPAK Rail
Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 100V 2A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Rail
Verical:
Trans Darlington PNP 100V 2A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Rail
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD117G Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFE
DeviceMart:
TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
Win Source:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
额定电压DC -100 V
额定电流 -2.00 A
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 100 V
输出电流 2 A
针脚数 4
极性 PNP
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
热阻 71.4℃/W RθJA
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V
最大电流放大倍数hFE 12000
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 12
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 25MHz Min
耗散功率Max 1750 mW
输入电压 5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Signal Processing, 工业, 车用, Industrial, 电源管理, Power Management, Automotive, 信号处理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD117G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
KSH117TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJD117G和KSH117TF的区别 |
MJD117 安森美 | 类似代替 | MJD117G和MJD117的区别 |