MJD117T4G

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MJD117T4G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJD117T4G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 25 MHz, 1.75 W, -2 A, 12000 hFE

PNP 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK


欧时:
ON Semiconductor MJD117T4G PNP 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
2.0 A,100 V,PNP 达林顿双极功率晶体管


e络盟:
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 25 MHz, 1.75 W, -2 A, 12000 hFE


艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
TRANSISTOR DARLINGTON PNP


安富利:
Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJD117T4G  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -100 V, 25 MHz, 1.75 W, -2 A, 12000 hFE


Win Source:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK


DeviceMart:
TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK


MJD117T4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 2.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 4

极性 PNP

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

最大电流放大倍数hFE 12000

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 12000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD117T4G引脚图与封装图
MJD117T4G引脚图
MJD117T4G封装焊盘图
在线购买MJD117T4G
型号: MJD117T4G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJD117T4G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 25 MHz, 1.75 W, -2 A, 12000 hFE
替代型号MJD117T4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD117T4G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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