ON SEMICONDUCTOR MJD117T4G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 25 MHz, 1.75 W, -2 A, 12000 hFE
PNP 复合,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
欧时:
ON Semiconductor MJD117T4G PNP 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
2.0 A,100 V,PNP 达林顿双极功率晶体管
e络盟:
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 25 MHz, 1.75 W, -2 A, 12000 hFE
艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
TRANSISTOR DARLINGTON PNP
安富利:
Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD117T4G Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -100 V, 25 MHz, 1.75 W, -2 A, 12000 hFE
Win Source:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
DeviceMart:
TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
额定电压DC -100 V
额定电流 2.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 4
极性 PNP
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V
最大电流放大倍数hFE 12000
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 12000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 25MHz Min
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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