MMBTA63LT1G

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MMBTA63LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA63LT1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 5000 hFE

PNP 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3


立创商城:
PNP Bipolar Darlington Transistor


欧时:
### PNP 复合晶体管,On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管(集成或分离设备)的复合结构。 这些设备连接,因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


贸泽:
Darlington Transistors 500mA 30V PNP


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MMBTA63LT1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 5000 hFE


艾睿:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
Darlington PNP 30V 500mA HFE:10K SOT23


安富利:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBTA63LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 5000 hFE


Win Source:
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23


DeviceMart:
TRANS SS DARL PNP 30V SOT23


MMBTA63LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -500 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 5000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 125MHz Min

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBTA63LT1G引脚图与封装图
MMBTA63LT1G引脚图
MMBTA63LT1G封装焊盘图
在线购买MMBTA63LT1G
型号: MMBTA63LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBTA63LT1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 5000 hFE
替代型号MMBTA63LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBTA63LT1G

ON Semiconductor 安森美

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MMBTA63LT1

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MMBTA63LT1G和MMBTA63LT1的区别

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