ON SEMICONDUCTOR MMBTA63LT1G 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 5000 hFE
PNP 复合,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
立创商城:
PNP Bipolar Darlington Transistor
欧时:
### PNP 复合晶体管,On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管(集成或分离设备)的复合结构。 这些设备连接,因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
贸泽:
Darlington Transistors 500mA 30V PNP
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR MMBTA63LT1G 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 5000 hFE
艾睿:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
Darlington PNP 30V 500mA HFE:10K SOT23
安富利:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBTA63LT1G Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 5000 hFE
Win Source:
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23
DeviceMart:
TRANS SS DARL PNP 30V SOT23
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -500 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 5000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBTA63LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA63LT1 安森美 | 完全替代 | MMBTA63LT1G和MMBTA63LT1的区别 |
MMBTA63 安森美 | 类似代替 | MMBTA63LT1G和MMBTA63的区别 |