ON SEMICONDUCTOR MJD122G 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, 2500 hFE
NPN 复合，On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
额定电压DC 100 V
额定电流 8.00 A
额定功率 1.75 W
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 100 V
输出电流 8 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
热阻 71.4℃/W RθJA
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 1000
最大电流放大倍数hFE 12000
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 2500
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 4MHz Min
耗散功率Max 1750 mW
输入电压 5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, 车用, ??, Automotive, Industrial, Industrial, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD122G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NJVMJD122T4G 安森美 | 类似代替 | MJD122G和NJVMJD122T4G的区别 |
MJD122TF 安森美 | 类似代替 | MJD122G和MJD122TF的区别 |